IXTH20N65X2
制造商产品编号:

IXTH20N65X2

Product Overview

制造商:

IXYS

零件编号:

IXTH20N65X2-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 20A TO247
详细描述:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

库存:

241 件 新原装 现货
13270669
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IXTH20N65X2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
Ultra X2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247 (IXTH)
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXTH20

数据表和文档

数据表
IXT(A,P,H)20N65X2 Datasheet Building, Home Automation Appl Guide

附加信息

标准套餐
30
其他名称
238-IXTH20N65X2

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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