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常见问题
制造商产品编号:
IXTA130N10T
Product Overview
制造商:
IXYS
零件编号:
IXTA130N10T-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
详细描述:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA
库存:
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12821153
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IXTA130N10T 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
Trench
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
130A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
5080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
360W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263AA
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
IXTA130
数据表和文档
数据表
IXTA130N10T
HTML 数据表
IXTA130N10T-DG
附加信息
标准套餐
50
其他名称
Q3262430
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
RSJ650N10TL
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
970
部件编号
RSJ650N10TL-DG
单价
2.94
替代类型
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零件编号
HUF75545S3ST
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onsemi
可用数量
6270
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HUF75545S3ST-DG
单价
1.50
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PSMN9R5-100BS,118
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5520
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单价
0.92
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4152
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IRFS4410TRLPBF-DG
单价
1.66
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1.19
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