制造商产品编号:
IXFH18N65X2
Product Overview
制造商:
IXYS
零件编号:
IXFH18N65X2-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
库存:
13270781
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IXFH18N65X2 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
HiPerFET™, Ultra X2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 1.5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247 (IXTH)
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXFH18
数据表和文档
附加信息
标准套餐
30
其他名称
238-IXFH18N65X2
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK20N60W,S1VF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
15
部件编号
TK20N60W,S1VF-DG
单价
2.83
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