制造商产品编号:
SPW35N60CFDFKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPW35N60CFDFKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 34.1A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
库存:
486 件 新原装 现货
12860549
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SPW35N60CFDFKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
34.1A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
118mOhm @ 21.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 1.9mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
212 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5060 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
313W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO247-3-1
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
SPW35N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
SPW35N60CFDXK
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDX
448-SPW35N60CFDFKSA1
SPW35N60CFDIN-DG
SPW35N60CFDFKSA1-DG
SP000065487
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
FCH110N65F-F155
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
69
部件编号
FCH110N65F-F155-DG
单价
4.26
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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