制造商产品编号:
SPP11N60C3XKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPP11N60C3XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
库存:
12806574
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SPP11N60C3XKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.9V @ 500µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3-1
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP11N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
SP000681040
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3
SPP11N60C3IN-NDR
SPP11N60C3XIN-DG
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-DG
SPP11N60C3XK
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
AOT11S60L
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
1100
部件编号
AOT11S60L-DG
单价
0.93
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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