制造商产品编号:
SPP07N60C3XKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPP07N60C3XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
库存:
12805729
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
SPP07N60C3XKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
CoolMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7.3A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.9V @ 350µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
790 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3-1
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP07N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
2156-SPP07N60C3XKSA1
SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN-NDR
INFINFSPP07N60C3XKSA1
SPP07N60C3XTIN-DG
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3X
SPP07N60C3IN-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
IRFSL4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
IRFI4321PBF
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
