制造商产品编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
库存:
12807811
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SPD30N03S2L10GBTMA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
OptiMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 50µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
41.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
100W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-TO252-3
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
SPD30N
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
SPD30N03S2L-10 G-DG
SP000443918
SPD30N03S2L10GBTMA1TR
SPD30N03S2L-10 G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
SUD50N03-06AP-E3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
4333
部件编号
SUD50N03-06AP-E3-DG
单价
0.58
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IRLR8259TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1779
部件编号
IRLR8259TRPBF-DG
单价
0.32
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMN3010LK3-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
1639
部件编号
DMN3010LK3-13-DG
单价
0.19
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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