制造商产品编号:
SPB80P06P
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPB80P06P-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
库存:
12807080
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SPB80P06P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
SIPMOS®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 5.5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
340W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-TO263-3-2
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
SPB80P
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SP000012841
SPB80P06PT
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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