制造商产品编号:
SPB17N80C3ATMA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
SPB17N80C3ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
详细描述:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
库存:
1942 件 新原装 现货
12806895
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SPB17N80C3ATMA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
17A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.9V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2300 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
227W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-TO263-3-2
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
SPB17N80
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3ATMA1DKR
SP000013370
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3INTR-NDR
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3ATMA1TR
SPB17N80C3XTINCT-DG
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3
SPB17N80C3INDKR
SPB17N80C3INDKR-DG
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT-NDR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3INTR-DG
SPB17N80C3XTINTR-DG
SPB17N80C3INCT-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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