制造商产品编号:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRLS4030-7PPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
库存:
12818562
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
IRLS4030-7PPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
HEXFET®
产品状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
190A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±16V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
11490 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
370W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK (7-Lead)
包装 / 外壳
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
数据表和文档
附加信息
标准套餐
50
其他名称
SP001568682
IRLS40307PPBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB039N10N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
29647
部件编号
IPB039N10N3GATMA1-DG
单价
1.22
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
