制造商产品编号:
IRLB8314PBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRLB8314PBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
详细描述:
N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
808 件 新原装 现货
12807462
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IRLB8314PBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
HEXFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
171A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 100µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5050 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRLB8314
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
64-0101PBF-DG
2156-IRLB8314PBF
SP001572766
IRLB8314PBF-DG
64-0101PBF
448-IRLB8314PBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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