制造商产品编号:
IRFH4226TRPBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRFH4226TRPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
详细描述:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 3.4W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
库存:
12805769
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IRFH4226TRPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
FASTIRFET™, HEXFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
25 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 50µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 13 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.4W (Ta), 46W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PQFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
IRFH4226
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
SP001565802
IRFH4226TRPBFCT
IRFH4226TRPBFTR
IRFH4226TRPBFDKR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSC024NE2LSATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5426
部件编号
BSC024NE2LSATMA1-DG
单价
0.38
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IRFH8311TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
48418
部件编号
IRFH8311TRPBF-DG
单价
0.40
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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