制造商产品编号:
IRFB3306PBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRFB3306PBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
库存:
5368 件 新原装 现货
13064037
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IRFB3306PBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
HEXFET®
包装
Tube
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 150µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4520 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
230W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220AB
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3306
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
448-IRFB3306PBF
IRFB3306PBF-ND
SP001556002
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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