制造商产品编号:
IRF7910TRPBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRF7910TRPBF-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
库存:
12823192
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IRF7910TRPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
HEXFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
12V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
26nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1730pF @ 6V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SO
基本产品编号
IRF7910
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
IRF7910TRPBFTR
IRF7910TRPBFDKR
INFINFIRF7910TRPBF
SP001565662
IRF7910TRPBF-DG
IRF7910TRPBFCT
2156-IRF7910TRPBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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