制造商产品编号:
IPP023N08N5AKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IPP023N08N5AKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
详细描述:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
库存:
367 件 新原装 现货
12805804
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IPP023N08N5AKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
Tube
系列
OptiMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
80 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.8V @ 208µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
12100 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP023
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
IPP023N08N5AKSA1-DG
2156-IPP023N08N5AKSA1
448-IPP023N08N5AKSA1
SP001132482
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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