制造商产品编号:
BUZ73ALHXKSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BUZ73ALHXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
库存:
12850747
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BUZ73ALHXKSA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
SIPMOS®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
840 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
40W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
PG-TO220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
500
其他名称
INFINFBUZ73ALHXKSA1
BUZ73AL H
SP000683012
BUZ73ALH
BUZ73AL H-DG
2156-BUZ73ALHXKSA1-IT
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
PHP20NQ20T,127
制造商
NXP Semiconductors
可用数量
8796
部件编号
PHP20NQ20T,127-DG
单价
1.02
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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