制造商产品编号:
BSP171PE6327
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BSP171PE6327-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
详细描述:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
库存:
12801300
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BSP171PE6327 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
SIPMOS®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.9A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 460µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
460 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-SOT223-4
包装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SP000012134
BSP171PE6327INTR
BSP171PE6327INCT
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSP171PH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
3760
部件编号
BSP171PH6327XTSA1-DG
单价
0.30
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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