制造商产品编号:
BSC084P03NS3EGATMA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BSC084P03NS3EGATMA1-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
详细描述:
P-Channel 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
库存:
12800179
请求报价
数量
最低1
最低1
PURZ
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
BSC084P03NS3EGATMA1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
OptiMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 110µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
57.7 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4240 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-TDSON-8-5
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC084
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
5,000
其他名称
BSC084P03NS3E GDKR-DG
BSC084P03NS3EGATMA1TR
BSC084P03NS3EGATMA1DKR
BSC084P03NS3E GTR-DG
BSC084P03NS3E G-DG
BSC084P03NS3E GCT-DG
BSC084P03NS3E GDKR
BSC084P03NS3E GCT
2156-BSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3EG
SP000473012
INFINFBSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3EGATMA1CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
DMP3012LPS-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
DMP3012LPS-13-DG
单价
0.28
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BSC084P03NS3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
8968
部件编号
BSC084P03NS3GATMA1-DG
单价
0.38
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
IPB50N12S3L15ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
