制造商产品编号:
BCR196WE6327HTSA1
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BCR196WE6327HTSA1-DG
描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 70 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323
库存:
12834854
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BCR196WE6327HTSA1 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
70 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
47 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
22 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
50 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
150 MHz
功率 - 最大值
250 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-70, SOT-323
供应商设备包
PG-SOT323
基本产品编号
BCR196
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
BCR 196W E6327
BCR196WE6327XT
BCR196WE6327
BCR196WE6327HTSA1TR
BCR 196W E6327-DG
SP000018040
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
PDTA144WU,115
制造商
NXP Semiconductors
可用数量
162000
部件编号
PDTA144WU,115-DG
单价
0.02
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PDTA144WMB,315
制造商
NXP USA Inc.
可用数量
149782
部件编号
PDTA144WMB,315-DG
单价
0.03
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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