G3R60MT07D
制造商产品编号:

G3R60MT07D

Product Overview

制造商:

GeneSiC Semiconductor

零件编号:

G3R60MT07D-DG

描述:

750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
详细描述:
750 V Through Hole TO-247-3

库存:

2888 件 新原装 现货
12958893
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G3R60MT07D 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
GeneSiC Semiconductor
包装
Tube
系列
G3R™
产品状态
Active
FET 类型
-
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (Vdss)
750 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
-
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
Vgs (最大值)
+20V, -10V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
1242-G3R60MT07D

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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