制造商产品编号:
GPIHV7DK
Product Overview
制造商:
GaNPower
零件编号:
GPIHV7DK-DG
描述:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
详细描述:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
库存:
467 件 新原装 现货
12976582
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GPIHV7DK 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
GaNPower
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 （Vdss）
1200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.7V @ 3.5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
Vgs （最大值）
+7.5V, -12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
90 pF @ 700 V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1
其他名称
4025-GPIHV7DKTR
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7000
数字证书
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