KSD2012GTU
制造商产品编号:

KSD2012GTU

Product Overview

制造商:

Fairchild Semiconductor

零件编号:

KSD2012GTU-DG

描述:

TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3

库存:

65590 件 新原装 现货
12967635
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KSD2012GTU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
3 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
60 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
25 W
频率 - 过渡
3MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包
TO-220F-3

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
712
其他名称
2156-KSD2012GTU-600039

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
Vendor Undefined
REACH 状态
REACH Affected
数字证书
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