制造商产品编号:
KSD2012GTU
Product Overview
制造商:
Fairchild Semiconductor
零件编号:
KSD2012GTU-DG
描述:
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
库存:
65590 件 新原装 现货
12967635
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KSD2012GTU 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
3 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
60 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
150 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
25 W
频率 - 过渡
3MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包
TO-220F-3
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
712
其他名称
2156-KSD2012GTU-600039
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
Vendor Undefined
REACH 状态
REACH Affected
数字证书
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