制造商产品编号:
FDP100N10
Product Overview
制造商:
Fairchild Semiconductor
零件编号:
FDP100N10-DG
描述:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
详细描述:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
2970 件 新原装 现货
12947141
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FDP100N10 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
包装
Bulk
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
数据表和文档
附加信息
标准套餐
159
其他名称
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
环境与出口分类
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
数字证书
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