ZXM66P02N8TA

制造商产品编号:

ZXM66P02N8TA

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

ZXM66P02N8TA-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO

详细描述:

P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO

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ZXM66P02N8TA 技术规格

类别

场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商

Diodes Incorporated

包装

-

系列

-

产品状态

Obsolete

FET 类型

P-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

20 V

电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C

6.4A (Ta)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs（th）（最大值） @ Id

700mV @ 250µA (Min)

栅极电荷（Qg）（Max） @ Vgs

43.3 nC @ 4.5 V

Vgs （最大值）

±12V

输入电容（Ciss）（Max） @ Vds

2068 pF @ 15 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

1.56W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商设备包

8-SO

包装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

附加信息

标准套餐

500

其他名称

ZXM66P02N8TR-NDR

ZXM66P02N8DKR

ZXM66P02N8CT

ZXM66P02N8TR

ZXM66P02N8CT-NDR

环境与出口分类

RoHS 状态

ROHS3 Compliant

湿气敏感度等级（MSL）

1 (Unlimited)

REACH 状态

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

替代模型

零件编号

DMP2022LSS-13

制造商

Diodes Incorporated

可用数量

37400

部件编号

DMP2022LSS-13-DG

单价

0.22

替代类型

MFR Recommended

零件编号

FDS6375

制造商

onsemi

可用数量

2121

部件编号

FDS6375-DG

单价

0.32

替代类型

MFR Recommended

数字证书

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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