制造商产品编号:
ZTX857QSTZ
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
ZTX857QSTZ-DG
描述:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
库存:
12979199
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ZTX857QSTZ 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
3 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
300 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 500mA, 10V
功率 - 最大值
1.2 W
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
E-Line-3, Formed Leads
供应商设备包
E-Line (TO-92 compatible)
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
31-ZTX857QSTZTB
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
数字证书
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