ZTX653QSTZ
制造商产品编号:

ZTX653QSTZ

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

ZTX653QSTZ-DG

描述:

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

库存:

12978881
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ZTX653QSTZ 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
2 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
100 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
-
功率 - 最大值
1 W
频率 - 过渡
175MHz
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
E-Line-3, Formed Leads
供应商设备包
E-Line (TO-92 compatible)

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
31-ZTX653QSTZTB

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
数字证书
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