制造商产品编号:
MMBT5551Q-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
MMBT5551Q-7-DG
描述:
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
库存:
5820 件 新原装 现货
13000400
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MMBT5551Q-7 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
600 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
160 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
300 mW
频率 - 过渡
300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
31-MMBT5551Q-7TR
31-MMBT5551Q-7CT
31-MMBT5551Q-7DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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