MMBT5551-7
制造商产品编号:

MMBT5551-7

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

MMBT5551-7-DG

描述:

BJT SOT23 160V NPN 0.25W 150C
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

库存:

12949827
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MMBT5551-7 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Discontinued at Digi-Key
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
600 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
160 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
300 mW
频率 - 过渡
300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
MMBT5551

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
MMBT5551DITR-DG
MMBT5551TR
MMBT5551CT
MMBT5551DICT-DG
MMBT5551-7DICT
MMBT5551DITR
MMBT5551TR-DG
MMBT5551CT-DG
MMBT5551
MMBT55517
MMBT5551DICT
MMBT5551-7DITR

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
BSR19A,215
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
11144
部件编号
BSR19A,215-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
零件编号
SMMBT5551LT1G
制造商
onsemi
可用数量
25240
部件编号
SMMBT5551LT1G-DG
单价
0.05
替代类型
MFR Recommended
零件编号
MMBT5551LT3G
制造商
onsemi
可用数量
46485
部件编号
MMBT5551LT3G-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
零件编号
CMPT5551 TR PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
5658
部件编号
CMPT5551 TR PBFREE-DG
单价
0.11
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PMBT5550,215
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
20982
部件编号
PMBT5550,215-DG
单价
0.03
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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