MMBT123S-7-F
制造商产品编号:

MMBT123S-7-F

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

MMBT123S-7-F-DG

描述:

TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 18 V 1 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

库存:

12887779
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MMBT123S-7-F 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
18 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
150 @ 100mA, 1V
功率 - 最大值
300 mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
MMBT123

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
MMBT123S-FDICT
MMBT123S-FDITR
MMBT123S7F
MMBT123S-FDIDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
MMBT489LT1G
制造商
onsemi
可用数量
2997
部件编号
MMBT489LT1G-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FMMTL618TA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
5360
部件编号
FMMTL618TA-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
NSS20201LT1G
制造商
onsemi
可用数量
4134
部件编号
NSS20201LT1G-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
MMBT6429LT1G
制造商
onsemi
可用数量
33580
部件编号
MMBT6429LT1G-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BFS19,235
制造商
NXP USA Inc.
可用数量
81026
部件编号
BFS19,235-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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