制造商产品编号:
HBDM60V600W-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
HBDM60V600W-7-DG
描述:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
库存:
12888560
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HBDM60V600W-7 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500mA, 600mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
65V, 60V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
SOT-363
基本产品编号
HBDM60V600
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
数字证书
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