DZT851-13
制造商产品编号:

DZT851-13

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DZT851-13-DG

描述:

TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 1 W Surface Mount SOT-223-3

库存:

12894744
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DZT851-13 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
6 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
60 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
375mV @ 300mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
功率 - 最大值
1 W
频率 - 过渡
130MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商设备包
SOT-223-3
基本产品编号
DZT851

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
1034-DZT851DICT
1034-DZT851DIDKR
DZT851DICT
1034-DZT851DITR
DZT85113
DZT851DITR
DZT851DIDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
2STN1360
制造商
STMicroelectronics
可用数量
3977
部件编号
2STN1360-DG
单价
0.14
替代类型
MFR Recommended
零件编号
NSS60601MZ4T1G
制造商
onsemi
可用数量
19187
部件编号
NSS60601MZ4T1G-DG
单价
0.18
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BCP55-10,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
1110
部件编号
BCP55-10,115-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BCP55H6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
BCP55H6327XTSA1-DG
单价
0.20
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BCP55-16,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
28042
部件编号
BCP55-16,115-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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