制造商产品编号:
DMTH6005LCT
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMTH6005LCT-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
12888485
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMTH6005LCT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2962 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMTH6005
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
SUP90N06-6M0P-E3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
581
部件编号
SUP90N06-6M0P-E3-DG
单价
1.30
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDP070AN06A0
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
767
部件编号
FDP070AN06A0-DG
单价
1.09
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IRF1407PBF
制造商
International Rectifier
可用数量
1150
部件编号
IRF1407PBF-DG
单价
1.21
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
DMN2024UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
DMN1016UCB6-7
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
DMP3036SFG-13
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
