制造商产品编号:
DMTH6004SCTBQ-13
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMTH6004SCTBQ-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263
库存:
667 件 新原装 现货
12894614
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DMTH6004SCTBQ-13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4.7W (Ta), 136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
DMTH6004
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
DMTH6004SCTBQ-13DIDKR
DMTH6004SCTBQ-13DITR
DMTH6004SCTBQ-13DICT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB029N06N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
29422
部件编号
IPB029N06N3GATMA1-DG
单价
0.82
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BUK964R2-55B,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4697
部件编号
BUK964R2-55B,118-DG
单价
1.46
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN3R0-60BS,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4780
部件编号
PSMN3R0-60BS,118-DG
单价
1.38
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMTH6004SCTB-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
790
部件编号
DMTH6004SCTB-13-DG
单价
0.92
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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