制造商产品编号:
DMT69M5LH3
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMT69M5LH3-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE
详细描述:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 3.3W (Ta), 96W (Tc) Through Hole TO-251
库存:
12978883
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DMT69M5LH3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1406 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.3W (Ta), 96W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-251
包装 / 外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
75
其他名称
31-DMT69M5LH3
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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