DMT6009LCT
制造商产品编号:

DMT6009LCT

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMT6009LCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
详细描述:
N-Channel 60 V 37.2A (Tc) 2.2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

838 件 新原装 现货
12884169
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

DMT6009LCT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±16V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.2W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMT6009

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
DMT6009LCTDI-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
diodes

DMPH6050SFGQ-13

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

BSS123W-7

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

diodes

DMN2028UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN

diodes

DMP6185SEQ-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223