制造商产品编号:
DMT6005LCT
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMT6005LCT-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
12888404
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DMT6005LCT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2962 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMT6005
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
FDP070AN06A0
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
767
部件编号
FDP070AN06A0-DG
单价
1.09
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IPP060N06NAKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
630
部件编号
IPP060N06NAKSA1-DG
单价
0.61
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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