制造商产品编号:
DMT6004SCT
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMT6004SCT-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
47 件 新原装 现货
12888926
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMT6004SCT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 113W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMT6004
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
DMT6004SCTDI-5
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
PSMN3R3-60PLQ
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
5000
部件编号
PSMN3R3-60PLQ-DG
单价
1.31
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PHP191NQ06LT,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
2279
部件编号
PHP191NQ06LT,127-DG
单价
1.38
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
DMT3006LDK-7
MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
DMP32D4SFB-7B
MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
DMP3025LK3-13-01
MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
