DMT6004SCT
制造商产品编号:

DMT6004SCT

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMT6004SCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

47 件 新原装 现货
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DMT6004SCT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.3W (Ta), 113W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMT6004

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
DMT6004SCTDI-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXTP260N055T2
制造商
IXYS
可用数量
73
部件编号
IXTP260N055T2-DG
单价
3.04
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDP030N06
制造商
onsemi
可用数量
900
部件编号
FDP030N06-DG
单价
2.04
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PSMN3R3-60PLQ
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
5000
部件编号
PSMN3R3-60PLQ-DG
单价
1.31
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PHP191NQ06LT,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
2279
部件编号
PHP191NQ06LT,127-DG
单价
1.38
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDP032N08
制造商
onsemi
可用数量
924
部件编号
FDP032N08-DG
单价
2.65
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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