制造商产品编号:

DMT35M4LFDF4-7

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMT35M4LFDF4-7-DG

描述:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020

详细描述:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

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DMT35M4LFDF4-7 技术规格

类别

场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商

Diodes Incorporated

包装

Tape & Reel (TR)

系列

-

产品状态

Active

FET 类型

N-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

30 V

电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C

12A (Ta)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th）（最大值） @ Id

2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（Max） @ Vgs

14.9 nC @ 10 V

Vgs （最大值）

±20V

输入电容（Ciss）（Max） @ Vds

1009 pF @ 15 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

910mW (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商设备包

X2-DFN2020-6 (Type W)

包装 / 外壳

6-PowerXDFN

基本产品编号

DMT35M4LF

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐

3,000

其他名称

31-DMT35M4LFDF4-7TR

环境与出口分类

RoHS 状态

ROHS3 Compliant

REACH 状态

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

数字证书

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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