DMT3011LDT-7
制造商产品编号:

DMT3011LDT-7

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMT3011LDT-7-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)

库存:

8665 件 新原装 现货
12888212
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DMT3011LDT-7 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
641pF @ 15V
功率 - 最大值
1.9W
工作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-VDFN Exposed Pad
供应商设备包
V-DFN3030-8 (Type K)
基本产品编号
DMT3011

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
DMT3011LDT-7-DG
DMT3011LDT-7DICT
DMT3011LDT-7DITR
DMT3011LDT-7DIDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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