制造商产品编号:
DMT3009LFVWQ-13
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMT3009LFVWQ-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
详细描述:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
库存:
12894528
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DMT3009LFVWQ-13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
823 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
供应商设备包
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包装 / 外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMT3009
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
DMT3009LFVWQ-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
1290
部件编号
DMT3009LFVWQ-7-DG
单价
0.22
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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