DMNH6012LK3-13
制造商产品编号:

DMNH6012LK3-13

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMNH6012LK3-13-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 60A TO252
详细描述:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3

库存:

12949773
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DMNH6012LK3-13 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1926 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252-3
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
DMNH6012

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FDD13AN06A0-F085
制造商
onsemi
可用数量
3311
部件编号
FDD13AN06A0-F085-DG
单价
0.55
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDD86581-F085
制造商
onsemi
可用数量
9781
部件编号
FDD86581-F085-DG
单价
0.45
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDD13AN06A0
制造商
onsemi
可用数量
11834
部件编号
FDD13AN06A0-DG
单价
0.69
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IPD50N06S4L12ATMA2
制造商
Infineon Technologies
可用数量
17005
部件编号
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
单价
0.40
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STD60NF55LAT4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STD60NF55LAT4-DG
单价
0.67
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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