DMN6069SFVW-13

制造商产品编号:

DMN6069SFVW-13

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMN6069SFVW-13-DG

描述:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

详细描述:

N-Channel 60 V 4A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

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DMN6069SFVW-13 技术规格

类别

场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET

制造商

Diodes Incorporated

包装

Tape & Reel (TR)

系列

-

产品状态

Active

FET 类型

N-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

60 V

电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C

4A (Ta), 14A (Tc)

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 3A, 10V

Vgs（th）（最大值） @ Id

3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（Max） @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs （最大值）

±20V

输入电容（Ciss）（Max） @ Vds

740 pF @ 30 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

2.5W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount, Wettable Flank

供应商设备包

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

包装 / 外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

DMN6069

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐

3,000

其他名称

31-DMN6069SFVW-13TR

环境与出口分类

RoHS 状态

ROHS3 Compliant

REACH 状态

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

替代模型

零件编号

DMN6069SFVWQ-7

制造商

Diodes Incorporated

可用数量

0

部件编号

DMN6069SFVWQ-7-DG

单价

0.14

替代类型

Parametric Equivalent

零件编号

DMN6069SFVW-7

制造商

Diodes Incorporated

可用数量

0

部件编号

DMN6069SFVW-7-DG

单价

0.14

替代类型

Parametric Equivalent

数字证书

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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