制造商产品编号:
DMN3200U-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN3200U-7-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
详细描述:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
99540 件 新原装 现货
12888722
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DMN3200U-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.2A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
290 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
650mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
DMN3200
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
-DMN3200U-7DIDKR
DMN3200U-7DIDKR
-DMN3200U-7DICT
DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7-DG
-DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7DICT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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