制造商产品编号:
DMN3112SQ-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN3112SQ-7-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
详细描述:
N-Channel 30 V 5.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
13000748
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DMN3112SQ-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
268 pF @ 5 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
DMN3112
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
31-DMN3112SQ-7TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSS306NH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
102998
部件编号
BSS306NH6327XTSA1-DG
单价
0.08
替代类型
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