制造商产品编号:
DMN3035LWN-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN3035LWN-7-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8 (Type N)
库存:
2790 件 新原装 现货
12883577
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DMN3035LWN-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.9nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
399pF @ 15V
功率 - 最大值
770mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商设备包
V-DFN3020-8 (Type N)
基本产品编号
DMN3035
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMN3035LWN-7DITR
DMN3035LWN-7DICT
DMN3035LWN-7DIDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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