制造商产品编号:
DMN2013UFDE-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN2013UFDE-7-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
详细描述:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
库存:
3000 件 新原装 现货
12888027
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DMN2013UFDE-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2453 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
660mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
U-DFN2020-6 (Type E)
包装 / 外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN2013
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMN2013UFDE-7DICT
DMN2013UFDE-7DITR
DMN2013UFDE7
DMN2013UFDE-7DIDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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