制造商产品编号:
DMN10H170SVT-13
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN10H170SVT-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
库存:
12887637
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DMN10H170SVT-13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1167 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TSOT-26
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
DMN10
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
10,000
其他名称
DMN10H170SVT-13DI
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
DMN10H170SVT-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
5799
部件编号
DMN10H170SVT-7-DG
单价
0.14
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
DMN10H170SVTQ-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
607
部件编号
DMN10H170SVTQ-7-DG
单价
0.16
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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