DMN1019UVT-7
制造商产品编号:

DMN1019UVT-7

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMN1019UVT-7-DG

描述:

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
详细描述:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26

库存:

6295 件 新原装 现货
12890219
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DMN1019UVT-7 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
12 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
800mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
Vgs (最大值)
±8V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2588 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.73W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TSOT-26
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
DMN1019

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
DMN1019UVT-7DIDKR
DMN1019UVT-7DICT
DMN1019UVT-7DITR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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