制造商产品编号:
DMN100-7-F
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN100-7-F-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
详细描述:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
库存:
12889081
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMN100-7-F 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
150 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SC-59-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
DMN100
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMN100-FDICT
DMN100-FDITR
DMN100-FDIDKR
DMN1007F
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
IRLML2803TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
57343
部件编号
IRLML2803TRPBF-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
SSM3J108TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
TK19A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
