DMG8N65SCT
制造商产品编号:

DMG8N65SCT

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMG8N65SCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
详细描述:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

库存:

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DMG8N65SCT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1217 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220AB (Type TH)
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMG8N65

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFP7N80PM
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXFP7N80PM-DG
单价
4.60
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IXFP7N80P
制造商
IXYS
可用数量
299
部件编号
IXFP7N80P-DG
单价
2.31
替代类型
MFR Recommended
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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